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【Hi-MO X10 価値ライブラリ】エピソード 2:抵抗率集中(Resistive Concentration)

みなさん、こんにちは!
「Hi-MO X10 価値ライブラリ」第2回へようこそ。


シリコンウェハは、大きなシリコンインゴットを薄くスライスしたものです。
今回は、その中でも重要な要素「抵抗率集中(Resistive Concentration)」の世界を覗いてみましょう。


ひとつ覚えておくべきポイントがあります。
シリコンウェハにおいて「抵抗率の集中度」が高いほど、発電性能はより安定し、高効率になります。

しかし、一般的なシリコンインゴットでは、抵抗率にムラがあり、
先端部分では高抵抗、末端部分では低抵抗になることが多く、均一に保つのは難しいのです。


そこで登場するのが、LONGi の革新的技術 TRCZ(Tail Resistivity Control by Zone)
この技術により、インゴットの先端と末端の抵抗率比を「約3倍」から「1.5倍未満」に抑えることに成功しました。

つまり、同じインゴットから切り出されたすべてのウェハがほぼ同等の性能を発揮し、
より高い発電量と安定した品質を実現できるのです。✨


次回の「Hi-MO X10 価値ライブラリ」では、さらに驚くべき Hi-MO X10 ウェハの特長を紹介します。
どうぞお楽しみに!

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